Контактные данныеНаш адрес:
Москва, ул. Кирова, 43
Телефон: +7 (495) 985 81 28
Тел./Факс: +7 (495) 854 35 25
Программирование памяти
Указанная нумерация выводов глядит к 40-полюсному корпусу типа PDIP (Plastic Dual-Inline Package - пластмассовый корпус с двухрядным благосклонностью выводов), напротив, обозначения вызодов, арестованные в скобки, - к 20-полюному корпусу типа PDIP. Перед программированием ранее не известных сведений нужно стереть те данные, что есть в микросхеме. Группа "Стирание
кристалла" прежде стирает все данные, хранящиеся в памяти Flash и EEPROM, напротив, потом - тоже и разряды блокировки.
Потом того точно микросхема переведена в состояние программирования и данные в памяти существовали стерты, можно начинать собственно развивающаяся болезнь программирования. Для данного все байты сведений, подлежащие записи в память, последовательно, байт за байтом, "прожигаются" во флэш-памяти.
Командное слово для программирования флэш-памяти следует быть загружено всего-навсего раз однажды: перед программированием 1 байта сведений. Данное командное слово остается настоящим до тех пор, пока не будет загружено другое командное слово. Старший байт адреса, по которому следующим быть запрограммировано слово сведений, тоже остается настоящим до тех
пор, пока оно не будет изменено.
Вследствие этому, лишь изменяя младший байт адреса, можно последовательно программировать полный блок, состоящий много из 256 слов сведений, ежели они расположены все расположены в пределах одной "страницы" флэш-памяти (то кусать, все обладают одинаковый старший байт адреса). Байты, которые содержат смысл FFh при программировании можно "перепрыгнуть", потому, что
такое смысл кормят все стертые ячейки памяти.